Ce procédé utilise des lasers et des produits chimiques sensibles à la lumière pour graver la puce. Sa fabrication est assurée par la deuxième ligne de production de son usine de Pyeongtaek en Corée du Sud.
La nouvelle LPDDR5 16 Go 10nm affiche une vitesse de 6 400 Mbps. C’est 16% de plus que les 5 500 Mbps de la LPPDR5 12 Go actuelle. Pour donner un exemple concret, une telle vitesse permet de transférer environ 10 films Full HD de 5 Go, ou 51,2 Go de données, en une seconde.
Les nouvelles puces LPDDR5 basées sur la technologie 1z sont également 30 % plus fines que les puces LPDDR5 basées sur la technologie 1y de l’année dernière. Cela permettra de rendre les smartphones et les tablettes pliables plus fins.
Le processus 1y nécessitait la combinaison de douze puces (huit puces de 12 Go et quatre puces de 8 Go) pour obtenir un ensemble de 16 Go de RAM. Cependant, la même capacité peut être obtenue avec le processus 1z en utilisant seulement huit puces de 16 Go.
En outre, des smartphones tels que le Galaxy S20 Ultra, qui est le plus haut de gamme de la série S20, ou le Nubia Red Magic 5G ont déjà des variantes avec 16 Go de RAM. Cependant, cette nouvelle génération s’annonce encore plus rapide. En comparaison l’iPhone 12 Pro ne profitera lui que de 6 Go de RAM. Mais iOS demande moins de RAM grâce à une meilleure optimisation.
Une usine gigantesque se charge de la production
La ligne 2 à Pyeongtaek est présentée par Samsung comme la plus grande chaîne de production de semi-conducteurs au monde. L’usine qui fabrique les puces DRAM LPDDR5 10 nm EUV s’étend sur plus de 128 900 mètres carrés.
Au total, l’usine Samsung de Pyeongtaek s’étend sur 289 000 mètres carrés si l’on tient également compte de la première usine, baptisée Pyeongtaek Line 1, et des installations adjacentes.
Source : Samsung Newsroom
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